通过自旋轨道感应的扭矩切换磁性元件的能力近来引起了很多关注，有助于实现低功耗的高性能非易失性存储器。要实现基于自旋轨道的有效切换，需要利用新材料和新颖的物理学手段来获得高的电荷-自旋转换效率，因此自旋源的选择至关重要。

　　有鉴于此，近日，新加坡国立大学Hyunsoo Yang教授等报道了在与坡莫合金相邻的1T'-MoTe2半金属薄膜构成的双层中，自旋轨道转矩(SOT)转换的观察。在室温下无需外部磁场即可实现确定性转换，并且转换时的电流比使用性能最佳的重金属器件中的典型电流小一个数量级。如果除了整体自旋霍尔效应之外还考虑界面自旋轨道的贡献，则可以理解其具有厚度依赖性的原因。借助于哑铃形的磁性元件，开关电流进一步降低了三倍。本文的研究发现表明，MoTe2在低功率半金属材料自旋器件领域中具有重要的应用前景。

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